Transistor FET I transistor FET (transistor a effetto di campo) funzionano in maniera differente rispetto ai transistor bipolari. Il loro nome deriva al fatto che il controllo della corrente è realizzato tramite un campo elettrico senza la necessità che circoli una corrente di controllo. Infatti sono molto utilizzati perché permettono di controllare un segnale con una spesa minima di energia, inoltre sono di dimensioni molto ridotte e consumano poco, il che li rende ideali per la fabbricazione dei circuiti integrati. Un transistor FET è costituito da tre terminali chiamati rispettivamente Source, Gate e Drain, posti su uno strato di semiconduttore p posto a sua volta su un altro strato di semiconduttore n. Polarizzando inversamente Source e Gate viene a crearsi sul G un campo elettrico che respinge le cariche attorno a se, diminuendo lo spessore del canale tra S e D. In questo modo controllando l’intensità del campo elettrico generato da G si può controllare la quantità di corrente che passa da S a D. Inoltre la corrente che passa da S a G è minima, attorno ai 10 nA, per questo nei transistor FET c’è una perdita di corrente davvero minima.
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