Evoluzione Elettronica |
Drogaggio Con il termine drogaggio, riferito ai semiconduttori, si intende l’aggiunta di una piccola percentuale di atomi non facenti parte del semiconduttore al semiconduttore stesso, al fine di cambiare le proprietà elettriche del materiale. Esistono due tipi di drogaggio: di tipo n e di tipo p. Otteniamo un drogaggio di tipo n quando l’atomo drogante ha un elettrone in più di quelli che servono per soddisfare il legame con gli altri atomi del reticolo cristallino. In questo modo l’elettrone in eccesso è libero di vagare all’interno del semiconduttore. Aggiungendo un atomo con un elettrone in meno di quelli necessari ai legami del reticolo cristallino otteniamo un drogaggio di tipo p. In questo modo l’atomo drogante non riesce a fare tutti i legami e verrà quindi a formarsi una lacuna, cioè un posto libero che può essere occupato da un elettrone. Questa lacuna viene indicata come una carica positiva. La tecnica del drogaggio permette di cambiare le proprietà elettriche del semiconduttore ma non le sue proprietà chimiche. La quantità di atomi droganti è in percentuale bassissima, si parla appunto di impurità. La quantità di atomi varia dai drogaggi più bassi con una quantità di 1013 atomi/cm³ fino ai drogaggi più elevati dell'ordine di 1020 atomi/cm³. Pensando che il silicio presenta 1022 atomi in un centimetro cubo vuol dire che le impurità arrivano nel peggiore dei casi all’1%. |