Creazione di un circuito integrato
Questo processo porta alla creazione di centinaia di chip da un singolo wafer, ciascuno dei quali può contenere milioni di transistor. Il numero di transistor presenti in un singolo chip permette di dividere i chip in diverse categorie:
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La costruzione di un
circuito integrato inizia da una barra monocristallina di
silicio purissimo, dalla quale si tagliano lastrine
sottili dette wafer. Dopo aver creato uno strato
superficiale di ossido di silicio (1), si ricopre il
wafer con un preparato apposito, chiamato fotoresist (2)
e gli si sovrappone una maschera ottenuta
fotograficamente da un disegno ingrandito del circuito da
realizzare (3). La maschera permette di selezionare le
porzioni del wafer alle quali devono essere aggiunte le
impurità: infatti l’esposizione ai raggi
ultravioletti modifica il fotoresist nelle zone non
protette dalla maschera, conferendogli proprietà di
durezza e resistenza agli acidi. Il fotoresist non
esposto può essere tolto facilmente (4) prima di
sottoporre il wafer a un attacco chimico con acido
fluoridrico. Nelle zone non protette dal fotoresist
l’acido asporta l’ossido (5) e il silicio
sottostante è pronto a ricevere i droganti e a essere
nuovamente ossidato. L’intero processo si ripete
più volte con altre maschere, fino al completamento di
tutti gli strati necessari. Al termine, dopo aver
asportato il fotoresist (6) si ricopre la lastrina con
uno strato di alluminio e, con un ultimo attacco chimico
selettivo, si realizzano le connessioni elettriche.